Beskrivning

Skicka förfrågan

Keramiska bas-PCB är en speciell typ av kretskort som använder keramiska material som bas och är belagda med ett ledande metallskikt (vanligtvis koppar eller aluminium) på ytan. De används huvudsakligen för att stödja elektroniska komponenter med hög-effekt och hög-frekvens. Genom att kombinera keramernas utmärkta värmeledningsförmåga, elektriska isolering och hög-temperaturbeständighet med metallskiktets goda elektriska ledningsförmåga, har keramiska substrat blivit kärnkomponenter i-avancerad elektronisk utrustning som nya energifordon, solcellsväxelriktare, 5G-basstationer och halvledarmoduler med hög{{7} effekt.
Typerna av keramiska substrat kan klassificeras utifrån två huvudperspektiv: material och tillverkningsprocesser.

Designator	Koda	Artikelnummer	Tillverkare	Kvantitet
C1, C4, C20, C182, C191	NP0-0402-50 V-100 pF±5 %			5	250	500
C2, C92, C99, C100, C101, C102, C103, C104	X5R-0402-50 V-220 nF+-10 %			8	400
C3, C6, C7, C8, C11, C24, C25, C26, C27, C28, C30, C31, C34, C37, C47, C51, C52, C53, C54, C55, C68, C69, C70, C71, C79, C80, C84, C93, C94, C95, C96, C97, C98, C107, C108, C110, C112, C114, C115, C123, C124, C127, C130, C135, C138, C140, C142, C145, C152, C153, C154, C155, C156, C157, C158, C159, C160, C161, C166, C168, C171, C173, C181, C184, C185, C186, C187, C188, C189, C190	X7R-0402-50 V-100 nF+-10 %			70	3500	7000
C5, C9, C10, C91	X7R-0402-50 V-1 nF+-10 %			4	200	400
C21, C22, C23	X7R-0402-25 V-1 µF+-10 %	GRM155R61E105KA12D		3	450	300
C29, C42	X7R-0402-50 V-220 pF+-10 %			2	300	800	200
C32, C33, C35, C36	X5R-0201-10 V-100 nF+-10%			4	200	400	-20%
C38, C39, C40, C41, C46, C56	X7R-0402-6,3 V-1 µF+-10 %			6	300	600
C43, C44, C45, C63	X5R-0805-6,3 V-47 µF±20 %			4	200	400
C48, C49, C50, C67	X5R-0603-10 V-22 µF+-10 %			4	200	400	-20%
C57, C58, C59, C167	NP0-0402-50 V-22 pF±5 %			4	200	400
C60, C61, C62, C64, C65, C66, C169, C170, C183	X5R-0603-6,3 V-22 µF±20 %			9	450	900
C72, C73, C74, C172, C175	X7R-0402-50 V-10 nF+-10 %			5	250	500
C75, C76, C77, C78	X7R-1206-50 V-10 µF+-10 %			4	200	400
C81, C90	X7R-0402-50 V-22 nF+-10 %			2	300	200
C82, C83, C163, C164, C178, C179	X6S-0402-16 V-1 µF+-10 %			6	300	600
C85	X5R-0402-6,3 V-4,7 µF+-20 %			1	150	100
C86	NP0-0603-50 V-47 pF+-5 %			1	150	100
C87, C88, C89	X7R-1210-10 V-47 µF+-10 %			3	150	300
C105, C106, C109, C111, C149, C150	NP0-0402-50 V-33 pF±5 %			6	300	600
C113, C116, C117, C118, C119, C120, C121, C122, C125, C126, C128, C129, C131, C132, C133, C134, C136, C137, C139, C141, C143, C144, C146, C162, C165, C180	X5R-0402-6,3 V-10 µF+-20 %			26	1300	2600
C147		10TPB220M	Panasonic	1	100
C148	X5R-1210-16 V-100 µF±20 %			1	50	100
C151	X7R-0805-16 V-2,2 µF+-10 %			1	150	100
C174	X7R-1210-50 V-4,7 µF+-10 %			1	50	100
C176, C177		EEEFK1H470XP	Panasonic	2	200
C192	NP0-0402-50 V-220 pF+-5 %			1	150	100
DA1, DA2, DA3		SGM2576YN5G/TR	SGMicro	3	300
DA4, DA5, DA6, DA10		SY98003AQNC	Silergi	4	400
DA7, DA8		LD39050PUR	STMicroelectronics	2	200
DA9		MPQ4316GRE-AEC1	MPS	1	100
DA11		LM74800QDRRRQ1	Texas Instruments	1	100
DA12		SY8089AAC	Silergi	1	100
DA13		LP5907MFX-1.2/NOPB	Texas Instruments	1	100
DD1		2N7001TDPWR	Texas Instruments	1	100
DD2		FUSB302BMPX	Onsemi	1	100
DD3		MCP2542FDT-H/MF	Mikrochipteknik	1	100
DD4		XS9922B	Chipup	1	100
DD6		MS1836S	Makrokisel	1	100
DD7		PCA9617ADPJ	Nexperia	1	100
FB1, FB14		BLM18PG121SN1D	Murata	2	100	200
FB2, FB3		BLM18KG121TN1	Murata	2	100	200
FB4, FB5, FB6, FB7, FB8, FB9, FB10		BLM18EG601SN1D	Murata	7	350	700
FB11		FBMH1608HM101-T	Taiyo	1	50	100
L1		SPM5030T-4R7M-HZ	Vishay	1	50	100
L2		LQM2HPN2R2MGSL	Murata	1	50	100
MP1, MP2, MP3, MP4		9774020633R	VI	4	400
MP5, MP6, MP7, MP8		9774050243R	VI	4	400
R1, R3, R26, R126	0402-100 Ω+-1 %			4	200	400
R2, R4, R5, R6, R12, R13, R15, R46, R105, R146, R151, R153, R161, R168, R177, R178, R185, R186, R187, R188, R189, R190, R191, R192, R196, R197, R198, R199, R202, R205, R214, R215, R216, R217, R218, R219, R220, R221, R222, R223, R224	0402-0 Ω+-5 %			41	2050	4100
R7	0402-12 Ω+-1 %			1	150	100
R8, R16, R38, R50, R61, R70, R71, R109	0402-1 kΩ+-1 %			8	400	800
R9	0603-1 kΩ+-1 %			1	150	100
R10, R179, R180, R181	0603-1,5 kΩ+-1 %			4	200	400
R17, R36, R37, R47, R58, R62, R66, R72, R73, R83, R111, R112, R204, R227	0402-10 kΩ+-1 %			14	700	1400
R22, R24, R48, R85, R86, R88, R99, R106, R107, R121, R122, R125, R127, R128, R129, R130, R131	0402-100 kΩ+-1 %			17	850	1700
R25, R59, R90, R108, R123	0402-20 kΩ+-1%			5	250	500
R27, R28, R30, R31, R32, R33, R34, R35	0402-590 Ω+-1 %			8	400	800
R29	0402-27 kΩ+-1 %			1	150	100
R39, R40	0402-1,8 kΩ+-1 %			2	300	200
R41, R42, R43	0402-47 kΩ+-1 %			3	450	300
R44	0402-1,2 kΩ+-1 %			1	150	100
R45	0603-120 Ω+-5 %			1	150	100
R49	0402-8,2 kΩ+-1 %			1	150	100
R52, R94, R95, R113, R120	0603-0 Ω+-5 %			5	250	500
R56, R57	0603-5,1 kΩ+-1 %			2	300	200
R60, R63, R64, R65	0402-2,2 Ω+-1 %			4	200	400
R67, R82, R91, R124	0402-2,2 kΩ+-1%			4	200	400
R68, R69, R76, R77, R78, R79, R80, R81, R92, R93, R132	0402-100 kΩ+-5 %			11	550	1100
R74, R75, R84, R133, R138, R139, R140, R141, R149, R150, R167, R172, R174, R176, R183, R184, R193, R194, R195, R229, R230	0402-4,7 kΩ+-1 %			21	1050	2100
R87	0402-31,6 kΩ+-1 %			1	150	100
R89	0402-120 kΩ+-1 %			1	150	100
R96	0402-4,3 kΩ+-1 %			1	150	100
R97	0402-75 kΩ+-1 %			1	150	100
R98	0402-51 kΩ+-1 %			1	150	100
R100, R102	0402-39 kΩ+-1 %			2	300	200
R101	0402-15 kΩ+-1 %			1	150	100
R103	0402-30 kΩ+-1 %			1	150	100
R110	0402-330 Ω+-1 %			1	150	100
R115, R116	0603-1,8 kΩ+-1 %			2	300	200
R119, R147	0402-75 Ω+-1 %			2	300	200
R135, R136	0402-0 Ω+-1 %			2	300	200
R148	0402-10 Ω+-1 %			1	150	100
R152	0402-22 Ω+-1 %			1	150	100
R154	0402-1 MΩ+-1 %			1	150	100
R160	0402-4,02 kΩ+-1 %			1	150	100
R169, R170	0805-0,033 Ω+-1 %			2	300	200
R182	0402-1 kΩ+-5 %			1	150	100
SB1, SB2		B3U-3000P	Omron	2	200
VD1, VD17		ESD5Z2.5T1G	PÅ Halvledare	2	200
VD2		SMBJ40CA-TR	STMicroelectronics	1	100
VD3, VD10, VD19		GNL-0603GC	G-nor	3	300
VD4, VD18		GNL-0603EC	G-nor	2	200
VD5, VD8		MBR0540	Hottech	2	200
VD6, VD7, VD12, VD13		ESD73034D	Tech Public	4	400
VD9		SMF05C.TCT	Semtech	1	100
VD14, VD16, VD21		PRTR5V0U2AX,215	Nexperia	3	300
VD20		GNL-0603UYOC	G-nor	1	100
VT1, VT3, VT4, VT5, VT7		2N7002DW	Hottech	5	500
VT2, VT6		WNM6002-3/TR	Willsemi	2	200
VT8, VT9		WMQ30N06TS	Wayon	2
VT10		IRLML2502	UMW	1	100
XP1, XP2, XP3, XP4, XP7, XP12, XP13, XP14, XP15		SM03B-SRSS-TB	JST	9	900
XP5, XP11		SM04B-SRSS-TB	JST	2	200
XP6, XP10		SM05B-SRSS-TB	JST	2	200
XP8, XP9		SM06B-SRSS-TB	JST	2	200
XS2, XS3, XS4, XS5		AXK5F80547YG	Panasonic	4	400
XS6		10118241-001RLF	Amfenol	1	100
XS8, XS9		1054500101	Molex	2	200
XS11		1759503-1	TE-anslutning	1	100
XS12		5034802400	Molex	1	100
XS13		245804030000829+	Kyocera AVX	1	100
ZQ1, ZQ2		X322527MOB4SI	YXC	2	200

Klassificering efter keramiskt material

Detta är den mest grundläggande klassificeringsmetoden, eftersom olika material bestämmer substratets nyckelegenskaper.

Aluminiumoxid (Al2O3)-substrat

För närvarande det mest använda keramiska substratmaterialet inom elektronikindustrin. De erbjuder utmärkt övergripande prestanda, hög mekanisk hållfasthet, god kemisk stabilitet, rikligt med råmaterial och relativt låg kostnad. De används i stor utsträckning inom mikroelektronik, kraftelektronik och hybridmikroelektronik.

Substrat av aluminiumnitrid (AlN).

Kännetecknas av extremt hög värmeledningsförmåga (typiskt större än eller lika med 170 W/(m·K)) och en värmeutvidgningskoefficient som är väl anpassad till kiselchips, vilket gör dem till ett idealiskt val för högpresterande applikationer för termisk hantering. De kräver dock mycket hög materialrenhet och strikt processkontroll.

Silikonnitrid (Si3N4)-substrat

Även om de nämns utan detaljerad förklaring i källmaterialet, är de allmänt kända för sin utmärkta mekaniska hållfasthet och värmechockbeständighet, vilket gör dem lämpliga för applikationer med höga krav på tillförlitlighet.

Berylliumoxid (BeO) substrat

Har till och med högre värmeledningsförmåga än metalliskt aluminium, men deras tillämpning är strikt begränsad på grund av materialets toxicitet.

Klassificering efter tillverkningsprocess

Olika tillverkningsprocesser bestämmer strukturen, prestanda och kostnaden för substratet och är nyckelfaktorer för att särskilja produkttyper.

HTCC (High-Temperature Co-Fired Ceramic)

Sintrad vid höga temperaturer på 1300–1600 grader, med hög-smältpunkt-metaller som volfram och molybden som ledare. Processen är mogen, men kostnaden är relativt hög och den elektriska ledningsförmågan hos metallskikten är relativt dålig.

LTCC (Low-Temperature Co-Fired Ceramic)

Sintrad vid 850–900 grader, vilket möjliggör användning av metaller med bättre elektrisk ledningsförmåga som silver, guld och koppar. Den kan realisera komplexa flerskiktsstrukturer och är lämplig för hög-högfrekventa och mycket integrerade moduler.

DBC (Direct Bonded Copper)

Kopparfolie är direkt bunden till det keramiska substratet genom en eutektisk process med hög-temperatur. Den har låg termisk resistans, hög ström-bärförmåga och hög tillförlitlighet, vilket gör det till ett av de vanligaste keramiska substraten för hög-enheter idag.

DPC (direkt pläterad koppar)

Använder tunn-filmprocessteknik för att direkt galvanisera koppar på ytan av det keramiska substratet för att bilda kretsmönster. Den möjliggör hög precision och fina linjebredder och har utvecklats snabbt de senaste åren och blivit en allmänt tillämpad teknologi.

LAM (laseraktiverad metallisering)

Använder laserteknik för att bilda fina metallkretsar på den keramiska ytan, vilket gör den lämplig för hög-precision och miniatyriserade enheter.

Keramiska baskretskort har följande huvudegenskaper:

Särdrag

Hög värmeledningsförmåga

Keramiska substrat har relativt hög värmeledningsförmåga. Till exempel är värmeledningsförmågan för ett keramiskt substrat av aluminiumoxid 25–35 W/(m·K), medan den för ett keramiskt substrat av aluminiumnitrid kan nå 170–230 W/(m·K). Denna höga värmeledningsförmåga ger keramiska substrat utmärkt värmeavledningsprestanda, vilket gör dem särskilt lämpliga för elektroniska enheter med hög-effekt.

Hög mekanisk styrka och stabilitet

Keramiska underlag har hög hållfasthet och hårdhet och kan bibehålla stabilitet i tuffa miljöer. Deras värmeutvidgningskoefficient är nära den för kisel, vilket förenklar tillverkningsprocessen för kraftmoduler. Dessutom presterar keramiska substrat bra under kraftiga temperaturfluktuationer och uppvisar tillförlitlig termisk cyklisk prestanda, med cykler som når upp till 50 000.

Utmärkt isoleringsförmåga

Keramiska substrat uppvisar utmärkt isoleringsförmåga och är lämpliga för applikationer som kräver hög dielektrisk hållfasthet. De har en låg dielektricitetskonstant och goda-högfrekvensegenskaper, vilket gör dem väl lämpade för hög-kretsar.

Utmärkt kemisk stabilitet

Keramiska substrat uppvisar enastående kemisk stabilitet och kan bibehålla överlägsen prestanda i oxidativa eller korrosiva miljöer med hög -temperatur. De korroderas inte lätt.

Strukturera

Grundstrukturen hos ett keramiskt substrat består typiskt av ett keramiskt basmaterial, ett metallskikt och ett adhesivskikt. Närmare bestämt hänvisar ett keramiskt substrat till en speciellt bearbetad skiva i vilken kopparfolie är direkt bunden till ytan av ett aluminiumoxid (Al2O3) eller aluminiumnitrid (AlN) keramiskt substrat vid höga temperaturer. Detta ultra-tunna kompositsubstrat har utmärkt elektrisk isolering, hög värmeledningsförmåga, överlägsen lödbarhet och stark vidhäftning. Dessutom kan den etsas in i olika mönster som ett konventionellt kretskort och erbjuder hög ström-kapacitet.

Detaljerade strukturer av olika typer av keramiska substrat

High-Temperature Co-Fired Ceramic (HTCC)

Produktionskostnaden för denna typ av substrat är relativt hög, och dess värmeledningsförmåga sträcker sig i allmänhet från 20 till 200 W/(m·K), beroende på det keramiska pulvrets sammansättning och renhet.

Låg-Temperature Co-Fired Ceramic (LTCC)

Glasmaterial med låg-smältpunkt-tillsätts till aluminiumoxidpulver, vilket möjliggör användning av mycket ledande metaller som guld och silver som elektrod- och ledningsmaterial.

Tjockt-filmtryckt keramiskt substrat (TPC)

Den här typen av substrat tillverkas med en screen-utskriftsprocess och har en enkel tillverkningsprocedur. Den är lämplig för förpackning av elektroniska enheter med låga krav på kretsnoggrannhet, såsom elektroniska moduler för bilar.

Direkt bunden koppar (DBC) keramiskt substrat

Under höga-temperaturförhållanden binds kopparfolien och det keramiska substratet fast genom en eutektisk bindningsprocess, vilket resulterar i hög bindningsstyrka och utmärkt värmeledningsförmåga. Det används ofta för värmeavledning i enheter som bipolära transistorer med isolerad grind (IGBT) och laserkomponenter.

Aktivt metalllödning (AMB) keramiskt substrat

Denna typ av substrat uppnår bindning mellan det keramiska substratet och kopparfolien genom lod som innehåller aktiva eller sällsynta-jordartsämnen. Den erbjuder hög bindningsstyrka och tillförlitlighet och är lämplig för förpackningsapplikationer med hög-densitet.

Ansökan

1. Inom elektronikområdet är keramiska substrat idealiska bärare för elektroniska komponenter som integrerade kretsar, kraftmoduler och RF-enheter. Med hög hållfasthet, hög hårdhet, hög slitstyrka, utmärkt isoleringsprestanda och termisk stabilitet säkerställer de stabil drift och effektiv signalöverföring i elektronisk utrustning. Tillämpningar av keramiska substrat inkluderar, men är inte begränsade till, hög-halvledarmoduler, effektstyrkretsar, hög-omkopplingsströmförsörjning, halvledarreläer, fordonselektronik, flyg- och militärelektronik och solpaneler.
2. Inom kommunikationsområdet kan keramiska substrat tillverkas till komponenter såsom mikrovågsfilter, antenner, effektdelare, kopplare och isolatorer. Dessa komponenter spelar en avgörande roll i kommunikationssystem och erbjuder utmärkt mekanisk styrka och värmeledningsförmåga.
3. Inom optikområdet används keramiska substrat som baser för lasrar, vilket ger god värmeledningsförmåga och mekanisk styrka. De används också för att tillverka olika komponenter för fiber-optisk kommunikation, såsom våglängdsmultiplexorer och polarisationskontroller.
4. Inom det medicinska området används keramiska substrat i stor utsträckning i-avancerad medicinsk utrustning, inklusive biomedicinska sensorer och konstgjorda organ, på grund av deras utmärkta biokompatibilitet och kemiska stabilitet. Till exempel kan keramiska substrat användas för att tillverka konstgjorda leder och dentala restaureringsmaterial, som erbjuder god biokompatibilitet och estetiska egenskaper.
5. Inom flyg- och rymdområdet används keramiska substrat för att tillverka motorkomponenter, termiska barriärbeläggningar, förbränningskammarfoder och rymdfarkostsdelar. Med hög hållfasthet, strålningsbeständighet och hög-temperaturbeständighet ger de tillförlitligt stöd i extrema miljöer, vilket säkerställer stabil systemdrift under hög-hastighet, hög-temperatur och hög-strålningsförhållanden.
6. Vårt företags keramiska substratprodukter inkluderar flerlagers keramiska PCB och 5G PCB-antenner.

Skräddarsydd produkt

De flesta av våra produkter är skräddarsydda baserat på de ursprungliga Gerber-filerna från våra kunder.
Efter att ha mottagit de ursprungliga Gerber-filerna konverterar vi dem till fungerande Gerber-filer för produktionsanvändning.
Under den här konverteringsprocessen justerar vi vissa parametrar-som håldiameter, spårbredd och spåravstånd-för att optimera tillverkningsbarheten och säkerställa smidig produktion.

Paket och garanti

Alla våra produkter är vakuum-förpackade med torkmedel för att säkerställa optimalt skydd under lagring och transport.
Hållbarheten för vakuum-förpackade kretskort varierar beroende på ytbehandlingsprocessen, vanligtvis från 3 till 12 månader. Detaljerna är följande:

Hållbarhet för olika ytbehandlingsprocesser

ENIG (Electroless Nickel Immersion Gold)

Kan förvaras i upp till 12 månader under vakuumförpackning med torkmedelsskydd.

Bly-gratis HASL (Hot Air Solder Leveling)

När inga speciella lagringsjusteringar görs är hållbarheten vanligtvis cirka 3 månader.

OSP (organisk lödbarhetskonservering)

Har en hållbarhet på 3–6 månader under vakuumförpackning med torkmedelsskydd. Men om den förvaras felaktigt (t.ex. utan torkmedel eller med otillräcklig vakuumförsegling), kan hållbarheten förkortas till cirka 3 månader.

Immersion Gold (kemisk guldplätering)

Hållbarheten kan uppgå till 6–12 månader, förutsatt att förseglade förpackningar och torkmedel används.

Företagsfördel

1. Vi garanterar svar inom 24 timmar på alla kundförfrågningar och klagomål.
2. Vår fabrik erbjuder 1-dags provproduktion för 2-lagerskivor och tillhandahåller snabba tillverkningstjänster för små och medelstora beställningar, vilket säkerställer korta ledtider och leverans i tid.
3. Vi stöder flera betalningsalternativ, inklusive EUR, USD, RUB och CNY, via PayPal, T/T och andra praktiska metoder.

Populära Taggar: keramik bas PCB, Kina keramik bas PCB tillverkare, leverantörer

Keramik bas PCB